Dziś przedstawimy inne korzystne obszary zastosowań płaskich-membran z węglika krzemu. Płaskie-membrany z węglika krzemu w połączeniu z procesami osadu czynnego w MBR reprezentują scenariusze operacji o niskim-przepływie (strumień projektowy 25~60 LMH, odcieki ze składowisk 25 LMH, ścieki bytowe 60 LMH). Z drugiej strony, płaskie-membrany z węglika krzemu mają również wiele korzystnych scenariuszy pracy-z wysokim strumieniem (strumień projektowy 150 ~ 1000 LMH).
W porównaniu ze scenariuszami pracy przy niskim-strumieniu, płaskie-membrany z węglika krzemu są zdecydowanie bardziej-opłacalne w scenariuszach pracy z wysokim-przepływem.
Dzisiaj skupimy się na zastosowaniu płaskich membran-z węglika krzemu w ściekach o wysokim-mętności w przemyśle półprzewodników.
Głównymi źródłami ścieków-o dużym zmętnieniu w przemyśle półprzewodników są:
1. Oczyszczanie ścieków po mieleniu i krojeniu wafli (przerzedzanie od tyłu w celu zmniejszenia grubości wafli; krojenie wafli w kostkę)
2. Oczyszczanie ścieków po planaryzacji
Technologia planaryzacji w przemyśle półprzewodników nosi nazwę CMP (chemiczne polerowanie mechaniczne). Podstawową zasadą CMP (ciągłego polerowania) jest obracanie płytki względem podkładki polerskiej w obecności zawiesiny ściernej (takiej jak roztwór KOH zawierający zawieszone cząstki koloidalnego SiO2) przy jednoczesnym wywieraniu nacisku, osiągając w ten sposób polerowanie poprzez mechaniczne szlifowanie i trawienie chemiczne. Technologia ta niewątpliwie rozwinie się od planaryzacji dielektryków międzywarstwowych (ILD), izolatorów, przewodników, osadzonych metali (W, Al, Cu, Au), polikrzemu i kanałów tlenku krzemu w przemyśle półprzewodników do dziedzin obróbki powierzchni, takich jak cienkowarstwowe dyski do przechowywania danych, systemy mikroelektromechaniczne (MFMS), ceramika, głowice magnetyczne, mechaniczne materiały ścierne, precyzyjne zawory, szkło optyczne i materiały metaliczne.
Charakterystyka ścieków o wysokiej-mętności z przemysłu półprzewodników jest następująca:
1. Wysokie zmętnienie, głównie spowodowane wysokim stężeniem drobnych cząstek stałych.
2. Niska przewodność i niski TOC.
3. Ścieki CMP mają właściwości utleniające.
Z punktu widzenia zanieczyszczania membran czynnikiem zanieczyszczającym jest po prostu wysokie stężenie drobnych cząstek stałych. Fizyczne metody czyszczenia są bardzo skuteczne w regeneracji strumienia membranowego. Niska przewodność i niski TOC oznaczają niską skłonność do zanieczyszczeń organicznych i kamienia, co skutkuje długimi cyklami czyszczenia chemicznego.
Jest to idealny scenariusz zastosowania technologii separacji membranowej! Jest zasadniczo przystosowany do obsługi filtracji wstępnej!
Wysokie stężenia drobnych cząstek stałych oznaczają, że duże prędkości przepływu na powierzchni membrany stwarzają ciągłe ryzyko mechanicznego zużycia warstwy oddzielającej membrany.
Zalety technologii ultrafiltracji zanurzeniowej wykorzystującej płaskie membrany z węglika krzemu do ścieków o wysokim-mętności w przemyśle półprzewodników:
1. Wysoki strumień: strumień membranowy Większy lub równy 300 LMH, niski koszt inwestycji;
2. Niskie zużycie energii: niskie koszty eksploatacji i konserwacji;
3. Wysoki stopień odzysku (do 95% lub więcej) w porównaniu do 75% ~ 85% w przypadku membran organicznych.
